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台積電在美國舉辦的年度技術論壇上,首度對外說明最新技術藍圖,包括將在2019年推出支援極紫外光(EUV)的加強版7+奈米,同時為了與格羅方德(GlobalFoundries)等競爭對手的全耗盡型絕緣層上覆矽(FD-SOI)製程相抗?,也將優化28奈米及16奈米技術並推出22奈米及12奈米製程。

台積電也說明將利用晶片堆疊、改變電晶體及材料架構等方式,將先進製程推進到3奈米世代。至於當紅的機器深度學習及人工智慧應用上,台積電將在年底在晶圓廠中導入機器深度學習,在針對ARM架構Cortex-A72/73處理器核心的部份,將可最佳化晶片的核心時脈並將運算速度提升50~150MHz。



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格羅方德為了搶下更多客戶,今年推出22奈米FD-SOI製程,並說明在成本及功耗的表現上,與台積電的16奈米製程相近。為此,台積電在今年予以反擊,共同執行長劉德音在美國技術論壇宣布,將推出由28奈米及16奈米優化的22奈米及12奈米。

台積電認為,22奈米FD-SOI製程表現與台積電22奈米相當,但FD-SOI缺乏完整的矽智財生態系統。若與28奈米高效能加強版製程(28HPC+)相較,22奈米可減少晶片面積約10%,在同一運算速度下降低35%功耗,或在同一功耗下提升15%速度。

台積電將在明年正式量產基於浸潤式微影技術的第一代7奈米FinFET製程,而目前用7奈米試產的256Mb靜態隨機存取記憶體(SRAM)良率已達76%。至於利用EUV製程推出加強版的7+奈米製程,預估2019年進入量產。

三星去年底已宣布將在7奈米製程上採用EUV技術,預估2019年開始生產,台積電不落人後,並很有信心的指出,台積電會是業界首家採用EUV量產7奈米的半導體廠,會在2018年7月試產。

(工商時報)

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